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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S19100HR3 MRF5S19100HSR3
NOTES
相关PDF资料
MRF5S19130HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 26W NI-880S
MRF5S19150HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880S
MRF5S21045MR1 MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-4
MRF5S21045NR1 MOSFET RF N-CH 28V 10W TO270-4
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MRF5S21100HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 23W NI-780S
MRF5S21130HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 28W NI-880S
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相关代理商/技术参数
MRF5S19130HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 28V 26W WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S19130HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF5S19130HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 28V 26W WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S19130HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 28V26W WCDMA NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S19130HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 28V26W WCDMA NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S19130R3 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19130SR3 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19150 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors